“我通常没有爱好。我的爱好继续吸收知识并在行业中使用我的大脑。”物理学家Lu Zhiyuan告诉DeepTech。值得一提的是，在75岁时，他仍然每天工作14个小时。最近，Lu Zhiyuan因其发明和领导力对无敌的半导体存储单元密度，设备集成和数据可靠性的领域的发明和领导贡献而获得了2025年未来科学奖“数学和计算机科学奖”。照片| Lu Zhiyuan（来源：数据图片）大大提高了ER的数量和容量密度，从而使闪存获得了“永恒的生命”。可以理解，与挥发性半导体完全不同的是非易失性半导体是一种存储技术，它仍然可以维护数据，而电力流量后而不会损失。它假定在电子设备上长期数据存储的基本功能，因此被广泛用于计算机，移动设备，物联网，EMBedded系统和其他字段。我们经常提到的闪光记忆是非易失性半导体的常见类型。这是基于门场的浮动效应，该效果通过注入或去除浮子门来存储数据，并且存在或缺乏电荷对应于“ 0”和“ 1”。当前，闪存分为NOBA的闪存，而不是闪存。前者具有很高的能力，并且可以快速阅读和写作速度。它通常用于USB驱动器，固态驱动器等。后者的帕格巴萨速度很快，但容量很小，成本很高。它通常用于在宝石系统上存储固件。扩展全文 但是，由于相同的闪存需要通过“ Erase-Write”周期进行数据更新，因此ERATES（耐用性）和容量密度的数量是闪存性能的两个关键指标。 近几十年来，Lu Zhiyuan为促销做出了重要贡献刺激闪存崩溃的数量增加和容量密度的发展。 具体来说： 传统的闪存可以根据体积隧道的影响（电子注入/删除浮动门存储数据）来实现电子的“直通式”存储，但是重复重复编写可以很容易地导致存储单元的“墙壁”，即材料NA结构，材料NA结构受到原子的损坏和偏斜的损坏。 。 在这方面，Lu Zhiyuan和他的团队发现，当由于反复进行隧道而“倒置”存储单元原子时，可以使用热量来使原子重新设置并恢复有序结构，例如修理“墙”。换句话说，只要维修开始时，擦除数量达到约5,000次，则可以将存储单元作为新恢复。 然后，使用Lu Zhiyuan团队开发的自我修复技术的新一代闪存的校正数可以从传统闪光备忘录的10,000次上升RY至10000次，10亿次或更高。 此外，由于这种自我修复技术允许闪存通过加热修复损坏的结构，因此，即使在实验过程中达到了大量的擦除，他们也没有发现清晰的限制。因此，这种新一代的闪存被称为“永恒的闪存”，实现了“永恒的生命”。 将更多的存储单元纳入单元区域是Flashang钥匙容量的密度增加。 在这方面，Lu Zhiyuan通过减少过程和3D估算来实现密度突破。其中，前者根据摩尔定律降低了单个记忆单元的大小。后者以垂直方式覆盖记忆单元，而不是依靠平面。 Lu Zhiiuan说：“实施了指甲尺寸的芯片，可以存储1000亿件（1兆位）的数据。” 同时，他还预测，在现有的技术框架下，继续优化材料和专业在现有的基础上，容量密度可以再增加100倍，从而进一步扩大了高密度存储应用空间。 显然，Lu Zhiyuan的技术对于非易失性设备的可扩展性和批量生产具有重要意义。因此，当他面对材料 - 帕拉托系统之间的协调问题时，基本的技术权衡或决策时刻是什么？ 卢齐扬说，这个问题对行业至关重要。他说：“如果是闪存或其他事情，您的工作只是整个系统中的一种物质，应该与系统合作以达到最强的功能。” 因此，他认为，基本技术的选择主要是在 - 深度匹配的设备设计和系统要求中遭到破坏。主要是打破单个设备性能的局限性，并根据系统的整体成本和效率做出决策。 他将闪存输出渠道作为一个例子。在传统的闪存设计中，有16个输出端销，其中8个仅用于输出并行信号，可以实现理论更快的数据传输速度。但是，卢齐尤恩（Lu Zhiyuan）和他的团队发现，从系统级别上，多渠道设计有明显的缺点，当系统的接线不仅增加了电线成本，而且增加了系统的复杂性时，必须相似地拉出16条线。因此，基于对系统的实际奉献精神的分析，他们决定将输出渠道从8减少到1，这似乎降低了单个设备的理论交付速度，但可能带来显着的系统级别的好处。该系统只需要拉8条线，这大大降低了接线的成本和困难。 实际上，除了通过芯片自我修复功能的上述高信任存储外，新一代非密度内存（NVM）由Lu Zhiyuan开发的还包括每个单元的高密度4位NVM存储，S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-S-Sonos设备，三维技术NVM通道以及高级的三维或闪存存储器。基于上面的发明，他带领团队成功地开发了新一代的NV存储产品，这为技术未来的技术基础是不稳定的技术，并进一步建立了人工智能，移动通信，云计算和计算方面的广泛应用。他还为此获得了2025年未来科学奖“数学和计算机科学奖”。 兴趣导致研究道路，并深入参与半导体领域数十年 1950年，Lu Zhiyuan出生于广州。他的父亲卢山东（Lu Shandong）是中国台湾工程工程的大师，他的母亲被命名为唐·尤岑（Tang Youzhen）。值得一提的是，我的兄弟lu chaoqun也是参与半导体行业和Yuchuang Technology的现任董事长。 1972年，Lu Zhiyuan毕业于台湾国家大学物理系，并最终从美国哥伦比亚大学获得了硕士学位和iPhysics医生的头衔。 他的状态是什么，是谁在NVM技术领域开创性的工作，这开始了半导体研究的道路？您为什么决定加深您在半导体，集成电路和应用物理学领域的努力？ 根据卢齐扬（Lu Zhiyuan）的说法，在1970年代的物理学研究中，他对导体和非导体之间的半导体材料之间的独特传导率产生了浓厚的兴趣。在进一步了解材料之后，他自然希望使用它来促进社会和技术发展。他认为，科学启发了技术已经恢复了科学。研究半导体仅反映科学与技术之间的循环循环，这使他感到高兴。 而且，半导体于1965年开始在1970年代大学和研究生院时开始在综合巡回赛中发展。这一研究过程已经能够发展半导体技术的发展，减轻了他积累该领域的基本知识的负担，使他能够正确地遵循前线，并为他在这一领域加深的坚实基础奠定了坚实的基础。 1977年从博士学位毕业后，他首次在国立北北大学（National Jiotong University）任教，并租用了1984年在美国贝尔实验室的研究计划。他的实验室经验对他的研究思想产生了深远的影响，他注意到基础科学的“知道为什么”以及“知道”技术的实施方式。 在1980年代后期，综合电路领域面临“微米屏障”，通常认为芯片的大小不超过Micron。因此，在1989年，卢齐尤恩（Lu Zhiyuan）被邀请返回台湾，并领导了工业技术研究所经济部的次级微调项目，该项目完成了随机台湾随机内存的动态技术的独立研究与开发以及大规模生产，使该地区有能力生产8英寸的Wafers。这一突破还为随后在纳米级发展芯片发展的基础奠定了基础。 1994年，根据Sub-Micron的计划，综合巡回赛公司在世界范围内成立。 Lu Zhiyuan是该公司的联合创始人，曾担任副总经理。后来，他于1998年被晋升为总经理，这成为台湾动态记忆行业的重要驱动力。 当1999年，他加入了Wangg Electronics，该公司的重点是提高公司的研发技术和现代记忆的制造技巧，这些记忆并不慢。 2003年，他被提升为TH的高级代表E总经理； 2007年，他被提升为总经理。在过去的20年中，他领导Wangg Electronics继续取得切割技术研究和开发的成功成果，这促进了该公司成为世界上领先的记忆制造商。 与旺甘电子（Wangan Electronics）同年，他成立了晶圆测试公司Xinquan Technology。 In addition, it should be noted that Lu Zhiyuan has also published more than 600 technical papers in journals and technological journals and international conferences, and has more than 160 international patents.Succeeding in the semiconductor field over the next ten to twenty years, Lu Zhiyuan said it will be seen in the use of integrated technology of storing and computing to rebuild computing architecture, and destroy Nanomanufacturing's通过3D估计技术限制。前者通过允许记忆直接PA来减少数据处理并大大降低能源消耗在逻辑操作中进行rticipate，并为从以前的跨芯片交付到细胞内处理的计算延迟。对于后者，从1纳米以下的光刻机器的瓶颈过程中，他提出了一种技术途径，以纵向估计来替换平面微型化，以实现20多年来半导体密度的增长。 此外，他对中国的未来在行业的基础研究和实施方面发展了积极的态度。 “ 20多年来，中国在科学研究和教育领域进行了巨大的投资，并培养了大量才华。这些才能在三十多岁和四十年代的科学研究产量很高，该国也为他们提供了广泛的发展空间，所以我认为未来是光明的，竞争是强大的。”他说。 类型：刘Yakun回到Sohu看到更多